회사소개

한양대학교는 1939년 일제 강점기 하에서 사랑의 실천을 건학이념으로 하여 태어났습니다. 우리 한양대학교가 길러내고자 하는 인재는 근면, 정직, 겸손, 봉사의 네 가지 덕목을 갖춘 사랑의 실천자입니다. 우리 한양대학교는 인간 사회의 모든 가치가 집약되어 있는 사랑의 실천 정신을 가르치고 배움으로서 개인을 값지게 하고 사회를 풍요롭게 하며 조국을 부강하게 할 수 있는 인재들을 양성하고 있습니다. 또한 우리 한양대학교는 학교 설립의 신념이 되었던 기술보국의 정신을 이어받아 실용학풍으로 사회의 힘이 되는 대학이 되기 위하여 노력하여 왔습니다. 사랑의 실천 정신과 실용학풍의 정신이 조화를 이룬 한양, 그러므로 한양대학교가 길러내는 인재들은 지식만이 아니라 지혜를 겸비하고, 능력만이 아니라 인품까지 갖춘 인재들로서 사회에서 높은 평가를 받고 있습니다.


  제품소개

기존의 나노 플로팅 게이트를 사용한 플래시 메모리 소자 제작 기술은 Si 산화막층 안에 나노 입자를 이온 주입의 복잡한 공정을 이용하여 고도의 청정 조건에서 제작하기 때문에 공정과정이 복잡하기 때문에 상용화에 어려움이 많았다. 본 발명은 절연성 고분자 안에 자발 형성된 다층 구조의 나노 입자층이 포함된 나노 플로팅 게이트 구조를 사용하여 기존의 플로팅 게이트 제작 과정이 필요 없는 다중 준위 플래시 기억소자 제작 방법을 제시하고 있다. 본 발명은 반도체 기판위에 성장된 고분자 박막 내에 균일하게 분산된 나노 입자층을 다층으로 형성하여 플로팅 게이트를 제작하고, 상기 플로팅 게이트의 양측부에 소스와 드레인을 형성하였다. 나노 입자층에 포획 및 방출되는 전자의 양을 조절하여 간단하고 정확하게 문턱전압을 변화할 수 있기 때문에 원하는 인가전압 영역에서 다중 준위 동작이 가능하고 단일 소자에 다수의 정보 저장이 가능하므로 저비용으로 고용량 기억소자를 대량 생산할 수 있는 방법이다.


  Company

With the establishment of Hanyang University in 1939, the University set its goal as the advancement of Korea, following the turbulent period which the country had just experienced. Since then, Hanyang has succeeded in developing into a top ranking university in the nation, continuing to make important contributions to the growth and development of Korea. Hanyang has also broadened its goals to include the advancement of Asia and the world. During Korea's rise from its status as a relatively poor and underdeveloped nation to a highly industrialized modern society, the need for well-informed and competent leaders for various industries and businesses has increased. Accordingly, one of Hanyang's main goals has been to produce highly-educated and professionally-trained individuals who can meet the needs of this rapidly growing and developing country. In addition, the educational objectives at Hanyang are more than pragmatic the university also strives to encourage students to become responsible and well-rounded citizens with an awareness of their cultural heritage, through various required courses ranging from history to civil services.


  Invention information

This invention provides the fabrication method of the low-cost and high-density multilevel nonvolatile flash memory devices using self-assembled nanoparticles embedded in a insulating polymer layer. This invention describes about the fabrication method of the floating gate formed a multilayer containing uniformly distributed nanoparticles embedded in a polymer layer grown on a semiconductor substrate. Because the threshold voltage can be controlled by the amount of electrons traped and detraped in nanoparticles, this device can act as multiple levels.